下列关于IGBT和MOSFET区别的说法错误的是？

['A. MOSFET具有更低的导通压降', 'B. IGBT更适合应用于高电压、大电流场合', 'C. IGBT的开关速度比MOSFET快', 'D. MOSFET驱动电路相对简单']

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