第三代半导体材料以（）为代表，具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。。['A.砷化镓', 'B.氮化镓', 'C.氧化锌', 'D.碳化硅', 'E.金刚石']
融学-第三代半导体材料以（）为代表，具有更宽
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